Aluminium Nitrida (AlN) adalah kristal atom yang termasuk dalam nitrida mirip berlian, yang dapat mempertahankan kestabilan hingga 2200 derajat. Ia menunjukkan kekuatan tinggi pada suhu ruangan, dan kekuatannya menurun relatif lambat seiring peningkatan suhu. Dengan konduktivitas termal yang sangat baik dan koefisien ekspansi termal yang rendah, AlN adalah material yang luar biasa untuk ketahanan terhadap guncangan termal. Ketahanannya yang kuat terhadap erosi logam cair menjadikannya material wadah peleburan yang ideal untuk melelehkan dan mencetak besi murni, aluminium, atau paduan aluminium. Selain itu, AlN adalah isolator listrik dengan sifat dielektrik yang baik, menunjukkan potensi yang menjanjikan untuk digunakan sebagai komponen listrik. Lapisan AlN pada permukaan galium arsenida dapat melindunginya dari implantasi ion selama anil.
Lebih jauh, AlN berfungsi sebagai katalis untuk transformasi dari boron nitrida heksagonal menjadi boron nitrida kubik. Pada suhu kamar, ia bereaksi lambat dengan air. AlN dapat disintesis dengan mereaksikan bubuk aluminium dalam atmosfer amonia atau nitrogen pada derajat 800-1000, menghasilkan bubuk putih hingga abu-abu-biru. Atau, ia dapat disintesis dari sistem Al2O3-C-N2 pada derajat 1600-1750, menghasilkan bubuk putih-abu-abu. Ia juga dapat diperoleh melalui reaksi fase gas antara aluminium klorida dan amonia. Pelapis dapat disintesis dengan metode deposisi fase gas menggunakan sistem AlCl3-NH3.
Properti
Konduktivitas termal yang tinggi (sekitar 20 W/m·K), sebanding dengan BeO dan SiC, dan lebih dari 5 kali lipat dari Al2O3.
Koefisien ekspansi termal (4,5×10-6 derajat) yang cocok dengan Si (3.5-4×10-6 derajat) dan GaAs (6×10-6 derajat).
Sifat kelistrikan yang sangat baik, termasuk konstanta dielektrik, kehilangan dielektrik, resistivitas massal, dan kekuatan dielektrik.
Sifat mekanik yang unggul, dengan kekuatan lentur yang lebih tinggi daripada keramik Al2O3 dan BeO, memungkinkan sintering pada tekanan atmosfer.
Kemurnian tinggi.
Karakteristik transmisi optik yang sangat baik.
Cocok untuk proses pengecoran pita, menjadikannya substrat dan bahan pengemasan yang menjanjikan untuk sirkuit terpadu daya tinggi.
Aplikasi
AlN menemukan aplikasi dalam optoelektronik, termasuk sebagai lapisan dielektrik dalam antarmuka penyimpanan optik dan substrat elektronik, sebagai pembawa chip karena konduktivitas termalnya yang tinggi, dan untuk keperluan militer.
Dengan memanfaatkan efek piezoelektriknya, ekstensi epitaksial kristal AlN digunakan dalam detektor gelombang akustik permukaan, yang ditempatkan pada wafer silikon. Hanya beberapa lokasi yang dapat menghasilkan lapisan tipis ini dengan andal.
Memanfaatkan kekuatannya dalam ruangan dan suhu tinggi, koefisien ekspansi rendah, dan konduktivitas termal yang baik, keramik AlN dapat digunakan sebagai komponen struktural suhu tinggi dan bahan penukar panas.
Mengingat ketahanannya terhadap korosi oleh logam dan paduan seperti besi dan aluminium, keramik AlN dapat berfungsi sebagai wadah peleburan dan cetakan pengecoran untuk melelehkan dan menuang logam seperti Al, Cu, Ag, dan Pb.
Tag populer: bubuk aluminium nitrida, produsen, pemasok, pabrik bubuk aluminium nitrida Cina
